中心主任
>> 中心主任
张玉明,男, 1965年5月生,二级教授、博导,现任西安电子科技大学微电子学院院长兼国防重点学科实验室主任,分别于1989年、1992年和1998年在清华大学、西安电子科技大学和西安交通大学获学士、硕士和博士学位, IEEE高级会员,IEEE ED西安分会秘书,中国电子学会高级会员,中国计算物理学会陕西分会理事。
>> 主要职责
负责实验教学示范中心的全面工作,领导中心的建设和发展,协调虚拟中心的工作。主要包括实验教学改革的总体规划,师资队伍建设以及组织实施和检查执行;领导和组织完成中心的教学、研究和实验室任务;组织和主编专业理论和实验教材;组织开展与国内外高校的教学和科研融合经验交流;组织开设高水平的专业实验和科研训练项目;规范化管理,并承担科研、理论教学及实验实践教学任务。
>> 工作经历
张玉明教授长期从事教学工作,具有丰富的教学工作经验。每年主讲本科生理论和实践教学课程2门、博士生课程1门、硕士生课程1门,每年指导本科毕业设计5~8名、硕士研究生10~15名、博士研究生5~7名。2015年被评为 “西安电子科技大学教学名师”。
在科研方面,近5年承担国家自然科学基金项目4项,其中重点项目1项。国家重大基础研究973 项目2项、国家科技重大专项4项,其它国家重大项目多项,其中负责的02专项项目共到校经费8807万元;总经费2450万元的中俄航天合作项目启动以来,第一个由高校承担的大型合作项目已经完成,意义重大。取得了许多创新性的成果,制备出国内第一只碳化硅MPS二极管和国内第一只碳化硅MOSFET器件,为我国这些器件的研发做出了重要贡献。在国内外核心刊物发表学术论文210余篇,其中150余篇被三大索引检索,已获授权发明专利21项,美国专利4项。获省部级科技进步奖四项,厅校级一等奖三项,二等奖两项。曾获 陕西省优秀留学回国人员称号和第四届“陕西青年科技奖”等。
主要工作经历:
1992.4-至今,在西安电子科技大学从事微电子学领域教学和科研工作;
1994年,晋升为讲师,1998年破格晋升为副教授,2001年破格晋升为教授,2002年被评为博士导师;
1999.8-2000.9,美国Rutgers-新泽西洲立大学做博士后;
2005.7-2014.6,安电子科技大学微电子学院教学副院长;
2007-至今,教育部“宽禁带半导体材料与器件”重点实验室副主任;
2008-至今,国防科技重点学科“宽带隙半导体技术”重点实验室主任;
20012.8-至今,民革陕西省第十一届省委会委员,民革陕西省委会科教委员会副主任;
2013.1-至今,政协陕西省第十一届委员会委员、常委、经济委员会副主任;
2014.7-至今,西安电子科技大学微电子学院院长;
2014.7,评为二级教授;
>> 教研科研主要成果
一、主要教学成果
序号 | 成果名称 | 评奖单位、时间 | 获奖等级 | 第几完成人 |
1 | 面向国家急需,建设我国集成电路紧缺人才培养体系的十年探索与实践 | 教育部、2014 | 二等 | 第二十 |
2 | 建设国家集成电路人才培养基地的探索与实践 | 陕西省、2012 | 二等 | 第二 |
二、主持或参加教改项目
项目名称 | 项目来源 | 经费(万元) | 起止日期 |
首批国家集成电路人才培养基地 | 国家教育部、科技部 | 500 | 2003- |
第一类国家级特色专业建设点-微电子专业 | 国家教育部 | 40 | 2007-2011 |
第二类国家级特色专业建设点-集成电路设计与集成系统专业 | 国家教育部 | 160 | 2007-2011 |
集成电路试验教学示范中心 | 国家教育部 | 50 | 2009- |
陕西省名牌专业建设-集成电路设计与集成系统专业 | 陕西省教育厅 | 45 | 2006-2012 |
陕西省名牌专业建设-微电子学专业 | 陕西省教育厅 | 47 | 2003-2009 |
陕西省名牌专业建设-电子科学与技术专业 | 陕西省教育厅 | 45 | 2002-2008 |
微电子实验教学示范中心 | 陕西省教育厅 | 41 | 2008- |
微电子特色教学团队 | 陕西省教育厅 | 2009- | |
专业综合改革试点 | 陕西省教育厅 | 30 | 2014- |
半导体器件物理-陕西省普通高校精品资源共享课程 | 陕西省教育厅 | 3 | 2014- |
序号 | 成果名称 | 成果等级 |
署名 次序 |
1 | 基于金属膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法,I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法 |
两项美国专利 2014年12月18日公开 |
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2 | ECR刻蚀及SiC高温半导体器件技术 | 陕西省科学技术奖,二等,2003 | 2 |
3 | Effect of atomic layer deposition growth temperature on the interfacial characteristics of HfO2/p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors |
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol.116, No.22, 2014, pp. 222207-1~222207-4, SCI:WOS:000346266300008 |
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