成果转化

    近年来，中心教师共承担了科研项目100余项，年均经费超过2000万元，获得省部级以上科技成果奖6项，在国内外重要刊物发表SCI/EI检索论文315篇。中心一贯坚持“教研相长”的理念，积极推动科研反哺教学，科研仪器设备向教学开放，科研成果转化为实验项目，用于实验教学。近五年，由科研成果转化而来的实验项目20余项，其中10余项已转化为大学生创新创业项目，学生获得发明专利5项，发表科技论文10余篇。部分实验项目如下表：

序号	科研项目及来源	已转化实验项目	实验目标及内容	相关科研设备及实施效果
1	氮化镓基浮空复合场板功率器件研究,国家自然科学基金项目	多形态光刻与刻蚀工艺	目标：强化学生对光刻与刻蚀工艺的理解。 内容：将科研实验条件和结果，有机融合进光刻与刻蚀工艺仿真，通过科研实践促进学生对工艺虚拟仿真的理解和掌握。	光刻机、刻蚀机等。年服务本科生50余人。
2	典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究，国家自然科学基金项目；	Si基MOSFET器件强电磁脉冲辐照引起特性参数退化虚拟仿真	虚拟仿真HPM（高功率微波）引起器件特性退化机理与物理过程；内容包括：HPM通过互连线、引脚感应脉冲电压，感应电压作用于MOS器件，器件内部的电子在感应的高场作用下，形成沟道热载流子和衬底热载流子，导致MOS器件热载流子效应，热载流子注入到栅氧化层，改变氧化层界面电荷的分布，最后引起器件退化；	Keithley 4200-SCS分析仪。年服务本科生40余人。
3	典型深亚微米半导体器件的HPM失效模式与机理研究，国家自然科学基金项目；	Si基MOSFET器件强电磁脉冲辐照引起热电应力损伤虚拟仿真	本实验建立了高功率微波（HPM）在漏极感应电压以及器件二维热电响应虚拟平台，模拟器件在HPM作用下的响应，分析器件电场、温度分布，分析器件失效机理与过程。	拉曼测试仪。年服务本科生50余人。
4	GaN基功率器件研究（自然科学基金重点项目）	V型槽栅GaN高电子迁移率器件击穿特性仿真实验	采用V型槽栅结构，将GaN高电子迁移率器件击穿特性提高，提高器件功率特性	ICP刻蚀机、RIE刻蚀机等。年服务本科生50余人。
5	MOS器件辐射效应研究（自然科学基金项目）	辐射应力下的器件参数退化模拟仿真实验	采用数学建模和模拟软件结合的方法，将器件在辐射应力下的参数退化情况进行模拟研究。	自建模型。年服务本科生70余人。
6	GaN基增强型器件与电路研究（国家863计划项目）	半导体场效应晶体管的参数模型提取仿真实验	采用模拟软件对增强型器件进行参数提取，为制作数字电路进行仿真建模	自建模型。年服务本科生70余人。
7	兆瓦级碳化硅功率器件关键技术研究（教育部重大专项/武器装备预先研究支撑项目）	XDMOS-3S半导体器件仿真软件	目标：强化学生对MOSFET器件和HEMT器件机理的理解。 内容：将器件中电势分布、电场分布、载流子浓度分布、载流子迁移率等物理参量与器件结构、器件外部偏置条件相联系，并仿真得到器件的直流和交流小信号端特性。	自主软件。年服务本科生80余人。